华虹nec 0.13微米嵌入式闪存工艺取得新进展-k8凯发官方网站

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华虹nec 0.13微米嵌入式闪存工艺取得新进展
发布时间: 2008-11-01 08:00  来源: 本站编辑

  基于上海华虹nec电子有限公司的0.13微米嵌入式闪存工艺(“ef130”)生产的sim卡产品近日完成产品的可靠性测试并进入量产阶段,从而使ef130工艺的发展进入了一个新的阶段。

  ef130嵌入式闪存工艺的设计平台面向智能卡、mcu和soc等产品。运用该技术平台开发的产品的擦写寿命超过30万次,数据保存时间至少可达10年。华虹nec将继续加强该工艺平台的发展,与业内领先的设计公司加深合作,在智能卡领域携手前进。

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